國內(nèi)技術(shù)取得突破，全球半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)愈演愈烈

　　經(jīng)過20多年的風(fēng)風(fēng)雨雨，我國終于完成了從“中國制造”到“中國智造”的偉大轉(zhuǎn)變。這些變化和進(jìn)步無疑值得肯定。但是，我們不能否認(rèn)，在高端科技領(lǐng)域，與世界水平相比還有很長的距離和很大的差距。

　　然而，中國國內(nèi)企業(yè)兩項(xiàng)核心技術(shù)的突破填補(bǔ)了如此巨大的差距。這是巨大的進(jìn)步!更是偉大的突破!

　　比爾·蓋茨曾說，美國的供應(yīng)中斷是徒勞和無益的。這只會(huì)使中國企業(yè)在逆境中取得更大的突破。現(xiàn)在比爾·蓋茨的話似乎正在成為現(xiàn)實(shí)。我國在5G射頻芯片核心技術(shù)研究方面取得了很大進(jìn)展。

　　超純水系統(tǒng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)添磚加瓦，守好水質(zhì)關(guān)

　　幾乎所有半導(dǎo)體生產(chǎn)過程都需要超純水清洗。工件與水直接接觸，水質(zhì)達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)，水中微量雜質(zhì)會(huì)再次污染芯片，對(duì)產(chǎn)品的影響不言而喻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體生產(chǎn)對(duì)水中污染物的要求越來越高。自20世紀(jì)60年代末美國五家公司提出半導(dǎo)體純水水質(zhì)指標(biāo)以來，半導(dǎo)體中的雜質(zhì)每一代都減少了1/2~1/10。1983年和1990年美國測(cè)試與材料學(xué)會(huì)發(fā)布的電子水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)已不能滿足超大規(guī)模集成電路半導(dǎo)體快速發(fā)展的需要。目前，ASTM已經(jīng)提出了新的更嚴(yán)格的水質(zhì)指標(biāo)。

　　“RO+EDI+精處理混床”工藝與傳統(tǒng)純水處理工藝基本相同。經(jīng)過嚴(yán)格的預(yù)處理后，原水進(jìn)入RO反滲透膜系統(tǒng)，出水立即送至超純水系統(tǒng)。此時(shí)，出水已達(dá)到一般工業(yè)純水的要求，然后通過混床深度處理，確保出水無雜質(zhì)，達(dá)到18兆歐電子超純水標(biāo)準(zhǔn)。超純水系統(tǒng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舔磚加瓦，守好水質(zhì)關(guān)。